ATF-551M4中文资料MiniPak 下单电压 E-pHEMT 低电流噪声 24 dBm OIP3数据手册Broadcom规格书

描述 Description

该低电流单电压增强模式 E-pHEMT GaAs FET 以 1.4 毫米 x 1.2 毫米 x 0.7 毫米薄型微型无铅包装来封装。 它的较小尺寸、高线性和低噪声系数特别适用于 450MHz 到 10GHz 频率范围下接收器 LNA 或手机、无线 LAN、固定无线的混合模块和其它射频应用。
它在 3V 时的卓越的高频率性能也使它成为用于 5-6 GHz 802.11a 和 HIPERLAN/2 无线 LAN PCMCIA PC 卡的 LNA 的理想选择。

特性 Features

·典型低电流性能：2GHz 2.7V/10mA 时，NF = 0.5dB、OIP3 = 24dBm、P1dB = 14.6dBm 和增益 = 17.5dB
·典型较高电流性能：2GHz 3V/20mA 时，NF = 0.5dB、OIP3 = 30dBm、P1dB = 16dBm 和增益 = 18dB
·典型性能：5.8GHz 2.7V/10mA 时，Fmin = 0.9dB，OIP3 = 24.5dBm，P1dB = 14dBm 和增益 = 12dB

简介

ATF-551M4属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的ATF-551M4晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。