ATF-53189中文资料SOT-89 封装下单电压 E-pHEMT 低噪声 40dBm OIP3数据手册Broadcom规格书

描述 Description

ATF-53189 是一款采用 SOT-89 包装封装的单电压高线性、低噪声 E-pHEMT。该设备展现出 50MHz 到 6GHz 频率范围下卓越的射频性能、功率效率和产品一致性。

特性 Features

·在 2GHz 时，ATF-53189 实现高 OIP3 多达 40dBm、P1dB 达 23dBm 以及低 NF 达 0.85dB，仅需要 4.0V/135mA 的直流电偏置
·具备良好散热能力的封装尺寸为 4.5 毫米 x 4.1 毫米 x 1.5 毫米，热阻为 70oC/W。

简介

ATF-53189属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的ATF-53189晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。