| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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3年
留言
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NA |
10000 |
24+ |
只有原装 |
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10年
留言
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AVAGO全系列□NA |
25800 |
26+ |
进口器件安华高优势代理供应正迈科技QQ1304306553支持 |
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13年
留言
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AVAGOSOT89 |
21970 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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3年
留言
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AVAGO/安华高SOT-89 |
50000 |
23+ |
原装正品 支持实单 |
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13年
留言
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AVAGO/安华高SOT-89 |
9600 |
24+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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AVAGO/安华高 |
393000 |
23+ |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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6年
留言
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FREESCALELQFP32 |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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5年
留言
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BROADCOM20 |
100500 |
2447 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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6年
留言
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AVAGO/安华高SOT89 |
6800 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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7年
留言
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AVAGO17 |
50000 |
26+ |
芯为深仓现货 |
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13年
留言
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Avago(安华高)NA |
20094 |
26+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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10年
留言
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Avago(安华高)NA |
20094 |
26+ |
原装正品 可支持验货,欢迎咨询 |
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5年
留言
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AVAGO/安华高SOT89 |
109 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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6年
留言
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Avago(安华高)封装 |
500000 |
25+ |
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
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12年
留言
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Avago(安华高) |
22450 |
26+ |
原装正品,假一赔十 |
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6年
留言
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AVAGO/安华高SOT-89 |
880000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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9年
留言
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AVAGO/安华高SOP-8 |
3200 |
08+ |
全新、原装 |
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6年
留言
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AVAGO/安华高SOT-89 |
380 |
23+ |
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8年
留言
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AGILENTTO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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10年
留言
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AVAGONA |
3000 |
26+ |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价,原装元器件供应,支持开发样品 |
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ATF-53189图片
ATF-53189-BLK价格
ATF-53189-BLK价格:¥16.2480品牌:Avago Technologies
生产厂家品牌为Avago Technologies的ATF-53189-BLK多少钱,想知道ATF-53189-BLK价格是多少?参考价:¥16.2480。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,ATF-53189-BLK批发价格及采购报价,ATF-53189-BLK销售排行榜及行情走势,ATF-53189-BLK报价。
ATF-53189-TR1中文资料Alldatasheet PDF
更多ATF-53189制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in SOT 89 Package
ATF-53189-BLK功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF-53189-TR1功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF-53189-TR2功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs Hi gh Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:






















