ATF-331M4中文资料MiniPak 下 pHEMT 低噪声 31 dBm OIP3数据手册Broadcom规格书

描述 Description

超低噪声 PHEMT以 1.4 毫米 x 1.2 毫米 x 0.7 毫米薄型微型无铅封装。它的小尺寸、高线性和低噪声系数非常适合混合模块或第一或第二级基站 basestation LNA 的设计。
该设备也适用于无线 LAN、固定无线应用和 450MHz 到 10GHz 频率范围下其它射频应用。

特性 Features

典型性能：2GHz 4V/60mA 时，NF = 0.6dB，OIP3 = 31dBm，P1dB = 19dBm，增益 = 15dB

简介

ATF-331M4属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的ATF-331M4晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。