ATF-521P8中文资料单电压 E-pHEMT 低噪声 42 dBm OIP3 采用 LPCC 封装数据手册Broadcom规格书

描述 Description

ATF-521P8 是一款采用 8-lead LPCC (JEDEC DFP-N) 封装的单电压高线性、低噪声 E-pHEMT 器件，在 50MHz 到 6 GHz 频率范围内展现出卓越的射频性能、功率效率和产品稳定性。

特性 Features

·在 2GHz，ATF-521P8 带来高达 42 dBm 的高 OIP3、26.5dBm 的 P1dB 和 1.5dB 低噪声，只需要 4.5V/200mA 直流偏压
·热效率封装尺寸仅 2mm x 2mm x 0.75mm。底端的金属化处理可以提供卓越的散热效果以及回焊用的视觉导引，该器件在 80°C 粘着温度下的点平均无故障时间超过 300 年。

简介

ATF-521P8属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的ATF-521P8晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。