ATF-55143中文资料SC-70 下单电压 E-pHEMT 低电流低噪声 24.2 dBm OIP3数据手册Broadcom规格书

描述 Description

增强型 PHEMT 工艺技术只需一个正向电压来源。这款高增益、高线性、低噪声晶体管非常适合 cellular/PCS 基站接收器、多通信道多点分散系统 (MMDS) 和其他在 450MHz 到 6GHz 频率范围内运作的射频应用。ATF-54143 采用微型 SOT-343 封装

特性 Features

增强模式 PHEMT 技术仅需要一个单一正电压源。该低噪声、高增益、高线性晶体管非常适合 450MHz 到 6GHz 频率范围下蜂窝/PCS 基站和 WCDMA 手机、移动无线设备的低电流接收器设计和其它低电流射频应用。ATF-55143 用微型 SOT-343 包装来封装。NF = 0.6dB；增益 = 17.7dB；P1dB = 14.4dBm；OIP3 = 24.2dBm @ 2.7V、10mA (2GHz)

简介

ATF-55143属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的ATF-55143晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。