ATF-541M4中文资料MiniPak 下单电压 E-pHEMT 低噪声 36 dBm OIP3数据手册Broadcom规格书

描述 Description

该单电压增强模式 E-pHEMT GaAs FET 以 1.4 毫米 x 1.2 毫米 x 0.7 毫米薄型微型无铅包装来封装。它的较小尺寸、高线性和低噪声系数特别适用于 450MHz 到 6GHz 频率范围下塔顶放大器、前端 LNA 或基站、MMDS 混合模块和其它射频应用。
它在 3V 时的卓越的高频率性能也使它成为用于 5-6 GHz 802.11a 和 HIPERLAN/2 无线 LAN PCMCIA PC 卡功率放大器的理想选择。

特性 Features

·典型性能：2GHz 3V/60mA 时，NF = 0.5dB，OIP3 = 35.8dBm，P1dB = 21.4dBm 和增益 = 17.4dB
·典型性能：5.8GHz 3V/60mA 时，Fmin = 1.2dB，OIP3 = 37.6dBm，P1dB = 19.4dBm 和增益 = 11.9dB

简介

ATF-541M4属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的ATF-541M4晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。