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ATC100B430JT500XT	文件：1.4439 Mbytes Page：19 Pages	RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET 2--500MHz,600W,50VLATERALN--CHANNELBROADBANDRFPOWERMOSFET Designedprimarilyforwidebandapplicationswithfrequenciesupto500MHz.Deviceisunmatchedandissuitableforuseinbroadcastapplications. •TypicalDVB--TOFDMPerformance:VDD=50Volts,IDQ=2600mA,Pout=125Wa	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
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更多ATC100B430JT500XT供应商更新时间2024-4-30 16:16:00