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DMN2112SN	文件：228.88 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. Features •LowOn-Resistance •ESDProtectedGate •TotallyLead-Free&Full	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2112SN	文件：222.41 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2112SN	文件：441.77 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2112SN	文件：84.09 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •IdealforNotebookComputer,PortablePhone,PCMCIA Cards,andBatteryPoweredCircuits •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •ESDProtectedGate •GreenDevice(Note3) MechanicalData •Cas	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
ECN2112	文件：113.49 Kbytes Page：13 Pages	HIGH-VOLTAGEMONOLITHICIC	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
EMC2112	文件：2.62041 Mbytes Page：44 Pages	AnalogandInterfaceProductSelectorGuide GeneralDescription MCP9700/9700AandMCP9701/9701AsensorswithLinearActiveThermistorIntegratedCircuit(IC)compriseafamilyofanalogtemperaturesensorsthatconverttemperaturetoanalogvoltage. Thelow-cost,low-powersensorsfeatureanaccuracyof±2°Cfrom0°Cto+70°C(MCP9700A/97	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
EMC2112	文件：2.62041 Mbytes Page：44 Pages	Analog&InterfaceProductSelectorGuide	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
EMC2112	文件：930.03 Kbytes Page：65 Pages	RPM-BasedLinearFanControllerwithHardwareThermalShutdown	SMSC Standard Microsystems Corporation	SMSC
EMC2112-BP-TR	文件：930.03 Kbytes Page：65 Pages	RPM-BasedLinearFanControllerwithHardwareThermalShutdown	SMSC Standard Microsystems Corporation	SMSC
EN2112C	文件：388.23 Kbytes Page：10 Pages	BipolarTransistor(-)50V,(-)2A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA BipolarTransistor (–)50V,(–)2A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses •LargecurrentcapacitanceandwideASO •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •Fastswitchingspeed •Smallandslimpackagemakingiteasytomake2SB1201/2SD1801-	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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