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B7751	文件：61.23 Kbytes Page：6 Pages	SAWComponentsLow-LossFilterforMobileCommunication881,5MHz Features ■Low-lossRFfilterformobiletelephoneGSM850systems,receivepath ■Lowamplituderipple ■Usablepassband25MHz ■Unbalancedtobalancedoperation ■CeramicpackageforSurfaceMountedTechnology(SMT)	EPCOSepcos 爱普科斯	EPCOS
BA7751ALS	文件：159.58 Kbytes Page：5 Pages	ICsforVTRApplications	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BTM7751G	文件：567.07 Kbytes Page：18 Pages	TrilithIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BTS7751G	文件：277.71 Kbytes Page：16 Pages	TrilithIC Description TheBTS7751GispartoftheTrilithICfamilycontainingthreediesinonepackage: Onedoublehigh-sideswitchandtwolow-sideswitches.ThedrainsofthesethreeverticalDMOSchipsaremountedonseparatedleadframes.Thesourcesareconnectedtoindividualpins,sotheBTS775	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
EVAL-AD7751EB	文件：249.41 Kbytes Page：16 Pages	EnergyMeteringICWithOn-ChipFaultDetection GENERALDESCRIPTION TheAD7751isahigh-accuracyfault-tolerantelectricalenergymeasurementICthatisintendedforusewith2-wiredistributionsystems.ThepartspecificationssurpasstheaccuracyrequirementsasquotedintheIEC1036standard. FEATURES HighAccuracy,Supports50	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
F7751	文件：292.51 Kbytes Page：7 Pages	SAWBandpassFilterF7751 Features ●RFbandpassfilter ●Highattenuation ●Usablebandwidth19MHz ●Nomatching50Ωsingle-endedoperation ●CeramicSurfaceMountedDevice(SMD)Package ●RoHSCompliant	ITF Integrated Technology Future	ITF
IRF7751	文件：162.21 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-30V) Description HEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanex	IRF International Rectifier	IRF
IRF7751GPBF	文件：241.15 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰PowerMOSFETUltraLowOn-Resistance Description HEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanex	IRF International Rectifier	IRF
IRF7751GTRPBF	文件：1.54071 Mbytes Page：6 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFETs APPLICATIONS •LoadSwitch •BatterySwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF7751PBF	文件：244.96 Kbytes Page：8 Pages	UltraLowOn-Resistance Description HEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanex	IRF International Rectifier	IRF

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