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28C010T	文件：359.09 Kbytes Page：20 Pages	1Megabit(128Kx8-Bit)EEPROM DESCRIPTION: MaxwellTechnologies’28C010Thigh-density1Megabit(128Kx8-Bit)EEPROMmicrocircuitfeaturesagreaterthan100krad(Si)totaldosetolerance,dependinguponspacemission.The28C010Tiscapableofin-systemelectricalbyteandpageprogrammability.Ithasa128-bytepageprogra	Maxwell Maxwell Technologies	Maxwell
AS28C010	文件：306.46 Kbytes Page：14 Pages	128Kx8EEPROMEEPROMMemory5Volt,ByteAlterable GENERALDESCRIPTION TheAustinSemiconductor,Inc.AS28C010isa1MegabitCMOSElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemory(EEPROM)organizedas131,072x8bits.TheAS28C010iscapableofinsystemelectricalByteandPagereprogrammability. FEATURES •Accessspeed:120,150,200,a	AUSTIN Austin Semiconductor
AS28C010	文件：307.83 Kbytes Page：15 Pages	HardwareDataProtection GENERALDESCRIPTION TheAS28C010isa1MegabitCMOSElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemory(EEPROM)organizedas131,072x8bits.TheAS28C010iscapableofinsystemelectricalByteandPagereprogrammability. FEATURES •Accessspeed:120,150,200,and250ns •DataRetention:	MICROSS Micross Components
AT28C010E	文件：657.33 Kbytes Page：11 Pages	1Megabit128Kx8PagedCMOSE2PROM	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
AT28C010-W	文件：570.6 Kbytes Page：11 Pages	1Megabit128Kx8PagedCMOSE2PROM TheAT28C010isahigh-performanceelectrically-erasableandprogrammablereadonlymemory.Its1megabitofmemoryisorganizedas131,072wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto120nswithpowerdissipationofjust220m	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
CAT28C010	文件：116.87 Kbytes Page：10 Pages	1024K-BitCMOSPARALLELE2PROM	Catalyst Catalyst Semiconductor

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