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BAV302	文件：1.02278 Mbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTFASTSWITCHINGDIODE Features ●Hermeticsealedparts ●Savingspace ●SiliconEpitaxialPlanarDiodes	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BAV302	文件：90.97 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSwitchingDiodes,HighVoltage FEATURES •Siliconepitaxialplanardiodes •Savingspace •Hermeticsealedparts •FitsontoSOD-323/SOT-23footprints •Electricaldataidenticalwiththedevices BAV100toBAV103,BAV200toBAV203 •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAV302-TR	文件：135.81 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalSwitchingDiodes,HighVoltage FEATURES •Siliconepitaxialplanardiodes •Savingspace •Hermeticsealedparts •FitsontoSOD-323/SOT-23footprints •Electricaldataidenticalwiththedevices BAV100toBAV103,BAV200toBAV203 •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleasese	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BB302C	文件：58.21 Kbytes Page：11 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoisecharacteristics;(NF=1.7dBtyp.atf=200MHz) •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto240VatC=200pF,Rs=0conditions. •Provideminimoldpackages;CMPAK-4(SOT-	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BB302M	文件：61.89 Kbytes Page：11 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoisecharacteristics;(NF=1.7dBtyp.atf=200MHz) •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto240VatC=200pF,Rs=0conditions. •Provideminimoldpackages;MPAK-4(SOT-1	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BB302M	文件：295.09 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoisecharacteristics;(NF=1.7dBtyp.atf=200MHz) •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto240VatC=200pF,Rs=0conditions. •Provideminimoldpackages;MPAK-4(SOT-1	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB302MBW-TL-E	文件：295.09 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Lownoisecharacteristics;(NF=1.7dBtyp.atf=200MHz) •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto240VatC=200pF,Rs=0conditions. •Provideminimoldpackages;MPAK-4(SOT-1	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BC302	文件：122.24 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES NPNSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BC302	文件：56.45 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC302	文件：15.36 Kbytes Page：1 Pages	BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB

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详细参数

型号：
ASSR-302C
功能描述：
固态继电器-PCB安装 SSR(CR+2A)(250V 0.05A)
RoHS：
否
制造商：
Omron Electronics
负载电压额定值：
40 V
负载电流额定值：
120 mA
触点形式：
1 Form A(SPST-NO)
输出设备：
MOSFET
封装/箱体：
USOP-4
安装风格：
SMD/SMT

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