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BC808	文件：265.01 Kbytes Page：4 Pages	Highcurrentapplication	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC808	文件：1.19967 Mbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES SuitableforAF-Driverstagesandlowpoweroutputstages ComplementtoBC818	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BC808A	文件：39.35 Kbytes Page：1 Pages	PNPSiliconAFTransistors Features ●ForgeneralAFapplications. ●Highcollectorcurrent. ●Highcurrentgain. ●Lowcollector-emittersaturationvoltage.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC808F	文件：82.43 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor(HighcurrentapplicationSwitchingapplication) Descriptions •Highcurrentapplication •Switchingapplication Features •SuitableforAF-Driverstageandlowpoweroutputstages •ComplementarypairwithBC818F	AUK AUK corp	AUK
BC808F	文件：274.41 Kbytes Page：4 Pages	Highcurrentapplication Descriptions •Highcurrentapplication •Switchingapplication Features •SuitableforAF-Driverstageand lowpoweroutputstages •ComplementarypairwithBC818F	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC808F	文件：274.41 Kbytes Page：4 Pages	Highcurrentapplication	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC808W	文件：47.16 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAFTransistors PNPSiliconAFTransistors •ForgeneralAFapplications •Highcollectorcurrent •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BC817W,BC818W(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC808W	文件：174.71 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation225mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandr	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC808W	文件：263.54 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors forgeneralpurposeandswitchingapplications Thesetransistorsaresubdividedintothreegroups–16,-25,-40accordingtotheircurrentgain.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BD808	文件：104.97 Kbytes Page：4 Pages	PlasticHighPowerSiliconPNPTransistor PlasticHighPowerSiliconPNPTransistor ...designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. •DCCurrentGain—hFE=30(Min)@IC=2.0Adc •BD808,810arecomplementarywithBD807,890	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

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详细参数

型号：
ASRD808T
制造商：
ASI
制造商全称：
ASI
功能描述：
SURFACE MOUNT STEP RECOVERY DIODE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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