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BC808F	文件：82.43 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Transistor (High current application Switching application) Descriptions •Highcurrentapplication •Switchingapplication Features •SuitableforAF-Driverstageandlowpoweroutputstages •ComplementarypairwithBC818F	AUK AUK corp	AUK
BC808F	文件：274.41 Kbytes Page：4 Pages	High current application Descriptions •Highcurrentapplication •Switchingapplication Features •SuitableforAF-Driverstageand lowpoweroutputstages •ComplementarypairwithBC818F	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC808F	文件：274.41 Kbytes Page：4 Pages	High current application	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC808W	文件：47.16 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAFTransistors PNPSiliconAFTransistors •ForgeneralAFapplications •Highcollectorcurrent •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BC817W,BC818W(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC808W	文件：174.71 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation225mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandr	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC808W	文件：263.54 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors forgeneralpurposeandswitchingapplications Thesetransistorsaresubdividedintothreegroups–16,-25,-40accordingtotheircurrentgain.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BD808	文件：104.97 Kbytes Page：4 Pages	PlasticHighPowerSiliconPNPTransistor PlasticHighPowerSiliconPNPTransistor ...designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. •DCCurrentGain—hFE=30(Min)@IC=2.0Adc •BD808,810arecomplementarywithBD807,890	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BD808	文件：246.98 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=30@IC=-2A •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=-60V(Min) •ComplementtoTypeBD807 APPLICATIONS •Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD808	文件：49.32 Kbytes Page：4 Pages	PlasticHighPowerSiliconPNPTransistor PlasticHighPowerSiliconPNPTransistor ...designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. •DCCurrentGain—hFE=30(Min)@IC=2.0Adc •BD808,810arecomplementarywithBD807,890	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD808	文件：127.53 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=30@lc=-2A •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEo(sus)=-60V(Min) •ComplementtoTypeBD807 APPLICATIONS •Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

详细参数

型号：
BC808F
制造商：
KODENSHI
制造商全称：
KODENSHI KOREA CORP.
功能描述：
High current application

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