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CJP20N20	文件：203.89 Kbytes Page：4 Pages	PowerFieldefectTransistor	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
DAM20N20D	文件：243.15 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
EC-20N20	文件：225.03 Kbytes Page：3 Pages	HIGHPOWER250WHIGHQUALITYAUDIOAMPLIFIERAPPLICATIONS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
JCS20N20CT-O-C-N-B	文件：1.81703 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
JCS20N20FT-O-F-N-B	文件：1.01266 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
MTB20N20E	文件：332.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.16Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTB20N20E	文件：252.78 Kbytes Page：12 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB20N20E	文件：258.709 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES200VOLTS TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilities.ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhigh	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP20N20	文件：203.09 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES200VOLTSRDS(on)=0.16OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowv	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP20N20E	文件：304.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP20N20E	文件：203.09 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET20AMPERES200VOLTSRDS(on)=0.16OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowv	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP20N20E	文件：248.63 Kbytes Page：8 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SSFP20N20	文件：201.58 Kbytes Page：2 Pages	StarMOSTPowerMOSFET	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
STD20N20	文件：405.53 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL200V-0.10OHM-18ATO-220/TO-220FP/DPAKLOWGATECHARGESTripFETIIMOSFET DESCRIPTION ThisMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Itisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhigh-efficiencyisolatedDC-DCconverters. GeneralFeatures ■TYPICALRDS(	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF20N20	文件：405.53 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL200V-0.10OHM-18ATO-220/TO-220FP/DPAKLOWGATECHARGESTripFETIIMOSFET DESCRIPTION ThisMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Itisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhigh-efficiencyisolatedDC-DCconverters. GeneralFeatures ■TYPICALRDS(	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP20N20	文件：398 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=125mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switching ·DC-DCConverters ·Primarysideswitch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP20N20	文件：405.53 Kbytes Page：13 Pages	N-CHANNEL200V-0.10OHM-18ATO-220/TO-220FP/DPAKLOWGATECHARGESTripFETIIMOSFET DESCRIPTION ThisMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Itisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhigh-efficiencyisolatedDC-DCconverters. GeneralFeatures ■TYPICALRDS(	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
SW20N20D	文件：639.28 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancedmodeTO-252MOSFET	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
WSF20N20	文件：1.28235 Mbytes Page：5 Pages	N-ChMOSFET	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微硕半导体微硕半导体（深圳）有限公司	WIINSOK

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深圳市德力诚信科技有限公司	ASDM2301ZA-R	ASCEND	24+	con	100	现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格https://www.jbchip.com/index	询价
北京三盛恒业电子有限公司	ASDM3020S-R	ASCEND	21+	N/A	2500	进口原装,优势现货	询价
深圳市云美电子科技有限公司	ASDM3050KQ-R	ASCEND	22+	TO-252	34000	只做原装进口现货	询价

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