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ASC40120X	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC Diode	ASDsemi 安森德	ASDsemi
CGH40120F	文件：1.5883 Mbytes Page：13 Pages	120 W, RF Power GaN HEMT Description Cree’s CGH40120F is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CGH40120F, operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high gain an 文件：1.5883 Mbytes 页数：13 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
CGH40120F	文件：1.21044 Mbytes Page：13 Pages	120 W, RF Power GaN HEMT 文件：1.21044 Mbytes 页数：13 Pages	CREE 科锐	CREE
CGH40120F-AMP	文件：1.21044 Mbytes Page：13 Pages	120 W, RF Power GaN HEMT 文件：1.21044 Mbytes 页数：13 Pages	CREE 科锐	CREE

技术参数

平均正向电流 If(A)：
40
正向压降Tj=25°C：
1.5
正向压降Tj=175°C：
2.2
最高工作结温 Tjmax ( °C )：
175
总电容电荷 (nC)：
190
Package：
TO-247

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更多ASC40120X供应商更新时间2026-1-24 10:01:00

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