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AS998	文件：30.91 Kbytes Page：6 Pages	ICintendedforuseasaPWMcontroller	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
BF998	文件：155.83 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BF998	文件：249.05 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode SiliconN_ChannelMOSFETTetrode •Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor •Forlow-noise,gain-controlledinputstageupto1GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BF998	文件：114.27 Kbytes Page：12 Pages	SiliconN-channeldual-gateMOS-FETs	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF998	文件：180.2 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelMOSFETTetrode(Short-channeltransistorwithhighS/CqualityfactorForlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz) Features ●Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor ●Forlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BF998	文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BF998	文件：93.08 Kbytes Page：9 Pages	SiliconN_ChannelMOSFETTetrode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BF998	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF998A	文件：155.83 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BF998A	文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BF998B	文件：155.83 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BF998R	文件：33.45 Kbytes Page：2 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode(Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BF998R	文件：114.27 Kbytes Page：12 Pages	SiliconN-channeldual-gateMOS-FETs	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF998R	文件：155.83 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BF998R	文件：318.61 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BF998R	文件：249.05 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode SiliconN_ChannelMOSFETTetrode •Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor •Forlow-noise,gain-controlledinputstageupto1GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BF998R	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF998R	文件：93.08 Kbytes Page：9 Pages	SiliconN_ChannelMOSFETTetrode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BF998RA	文件：155.83 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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