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BB809	文件：41.48 Kbytes Page：4 Pages	VHFvariablecapacitancediode FEATURES •Highlinearity •Matchedto3 •HermeticallysealedleadedglassSOD68(DO-34)package •C28:4.7pF;ratio:9 •Lowseriesresistance. APPLICATIONS •ElectronictuninginVHFtelevisiontuners,bandAupto160MHz •VCO. DESCRIPTION TheBB809isa	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BB809	文件：281.423 Kbytes Page：2 Pages	30VDetectionswitchtube	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
BD809	文件：49.56 Kbytes Page：8 Pages	POWERTRANSISTORSPNPSILICON PlasticHighPowerSiliconTransistor Thesedevicesaredesignedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features •DCCurrentGain-hFE=30(Min)@IC=2.0Adc •Pb-FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD809	文件：91.52 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ··WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD810 ·DCcurrentgain :hFE=30(Min)@IC=2.0Adc APPLICATIONS ·Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD809	文件：86.03 Kbytes Page：5 Pages	PlasticHighPowerSiliconTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD809	文件：132.22 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD810 ·DCcurrentgain :hFE=30(Min)@IC=2.0Adc APPLICATIONS ·Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD809	文件：95 Kbytes Page：4 Pages	PlasticHighPowerSiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD809	文件：127.85 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain- :hFE=30@lc=2A •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(sus)=80V(Min) •ComplementtoTypeBD810 APPLICATIONS •Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizing complementaryorquasicomplementarycircuits.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD809G	文件：86.03 Kbytes Page：5 Pages	PlasticHighPowerSiliconTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BS809	文件：50.09 Kbytes Page：2 Pages	DMOSTransistors(N-Channel) FEATURES ♦Highinputimpedance ♦Lowgatethresholdvoltage ♦Lowdrain-sourceONresistance ♦High-speedswitching ♦Nominoritycarrierstoragetime ♦CMOSlogiccompatibleinput ♦Nothermalrunaway ♦Nosecondarybreakdown	GE GE Industrial Company	GE

详细参数

型号：
AS809
制造商：
SPC Multicomp
功能描述：
CHOKE COMMON MODE 2X5.6UH

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳新景润电子科技有限公司	AS809	ASDsemi	22+	SOT23/SOT23-3SOT89-3	20000	全新原装	询价
深圳市海天鸿电子科技有限公司	AS809-263DCM/TR-LF	A1semi	1708+	SOT23-3	8660	只做原装进口,假一罚十	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	AS809-308DCM/TR-LF	A1SEMI	1742+	SOT23-3	98215	只要网上有绝对有货!只做原装正品!	询价
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