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BD809	文件：49.56 Kbytes Page：8 Pages	POWER TRANSISTORS PNP SILICON Plastic High Power Silicon Transistor These devices are designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. Features • DC Current Gain - hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc • Pb-Free Packages are Available* 文件：49.56 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD809	文件：132.22 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type BD810 ·DC current gain : hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc APPLICATIONS ·Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. 文件：132.22 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD809	文件：127.85 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • DC Current Gain - : hFE=30@lc=2A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(sus)= 80V(Min) • Complement to Type BD810 APPLICATIONS • Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. 文件：127.85 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD809	文件：91.52 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ··With TO-220C package ·Complement to type BD810 ·DC current gain : hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc APPLICATIONS ·Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. 文件：91.52 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD809	文件：86.03 Kbytes Page：5 Pages	Plastic High Power Silicon Transistor 文件：86.03 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD809	文件：95 Kbytes Page：4 Pages	Plastic High Power Silicon Transistors 文件：95 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD809	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Power NPN Bipolar Transistor The High Power NPN Bipolar Power Transistor is designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. • DC Current Gain - hFE = 30 (Min) @ IC = 2.0 Adc\n• Pb-Free Packages are Available\n;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD809_07	文件：86.03 Kbytes Page：5 Pages	Plastic High Power Silicon Transistor 文件：86.03 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD809_14	文件：95 Kbytes Page：4 Pages	Plastic High Power Silicon Transistors 文件：95 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD809G	文件：86.03 Kbytes Page：5 Pages	Plastic High Power Silicon Transistor 文件：86.03 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
BD809
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD545C,BD709,3DD164B,
最大耗散功率：
90W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
80
htest：
999900
atest：
10
wtest：
90

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
1.1
IC Cont. (A)：
10
VCEO Min (V)：
80
VCBO (V)：
80
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
1.6
hFE Min：
30
fT Min (MHz)：
1.5
PTM Max (W)：
90
Package Type：
TO-220-3

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