BD809中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
BD809 |
| 参数属性 | BD809 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS NPN 80V 10A TO220 |
| 功能描述 | Silicon NPN Power Transistor |
| 文件大小 |
127.85 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企业简称 |
NJSEMI【新泽西半导体】 |
| 中文名称 | 新泽西半导体产品股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-14 22:59:00 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
BD809三极管、BD809晶体管、BD809晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
10A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD545C,BD709,3DD164B,
- 最大耗散功率：
90W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-10
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
90
BD809规格书详情
DESCRIPTION
• DC Current Gain -
: hFE=30@lc=2A
• Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(sus)= 80V(Min)
• Complement to Type BD810
APPLICATIONS
• Designed for use in high power audio amplifiers utilizing
complementary or quasi complementary circuits.
产品属性
- 产品编号：
BD809G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.1V @ 300mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 4A，2V
- 频率 - 跃迁：
1.5MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS NPN 80V 10A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
TO220 |
7350 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO 220 |
155804 |
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ON |
1738+ |
TO-220 |
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1983 |
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MOTO |
23+ |
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710 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-220 |
97982 |
询价 | |||
ON |
23+ |
TO-2203LEADS |
7844 |
全新原装 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2010+ |
N/A |
620 |
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询价 | ||
ONSemiconductor |
18+ |
NA |
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TO-220 |
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