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厂商型号

BD801

功能描述

EPITAXIAL-BASE,SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS

文件大小

138.09 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

INTERSIL

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数据手册

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更新时间

2026-2-2 13:34:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BD801

  • 别名:

    BD801三极管、BD801晶体管、BD801晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    8A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD543C,BD711,3DK32D,

  • 最大耗散功率:

    65W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    65

BD801规格书详情

Epitaxial-Base, Silicon N-P-N and P-N-P VERSAWATT Transistors

产品属性

  • 型号:

    BD801

  • 制造商:

    INTERSIL

  • 制造商全称:

    Intersil Corporation

  • 功能描述:

    EPITAXIAL-BASE,SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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