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BD801	文件：138.09 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL-BASE,SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS Epitaxial-Base, Silicon N-P-N and P-N-P VERSAWATT Transistors 文件：138.09 Kbytes 页数：3 Pages	Intersil	Intersil
BD801	文件：93.59 Kbytes Page：4 Pages	Plastic High Power Silicon NPN Transistor Plastic High Power Silicon PNP Transistor . . . designed for use up to 30 Watt audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. • DC Current Gain — hFE = 40 (Min) @ IC = 1.0 Adc • BD801 is complementary with BD 798, 800, 802 文件：93.59 Kbytes 页数：4 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BD801	文件：246.91 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：246.91 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD801	文件：129.229 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：129.229 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD801	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 100V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
BD801
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD543C,BD711,3DK32D,
最大耗散功率：
65W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
100
htest：
999900
atest：
8
wtest：
65

技术参数

Type：
NPN
Category：
Bipolar Power
Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
100V
Maximum DC Collector Current：
8A
Maximum Power Dissipation：
65000W
Maximum Collector Emitter Voltage：
100V
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@0.3A@3AV
Maximum Operating Temperature：
150

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