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AS60N20S	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS(场效应管)	Anbonsemi 安邦	Anbonsemi
FIR60N20ANG	文件：3.77338 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 文件：3.77338 Mbytes 页数：7 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
FIR60N20PG	文件：4.82027 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 文件：4.82027 Mbytes 页数：7 Pages	FOSTER 福斯特半导体	FOSTER
HM60N20	文件：568.16 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：568.16 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI

技术参数

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：
20A
栅源极阈值电压：
2.4V @ 250uA
漏源导通电阻：
4.5mΩ @ 20A
最大功率耗散（Ta=25°C）：
3.5W
类型：
N沟道

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AS60N20S供应商更新时间2026-4-17 11:08:00

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