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AS60N20S中文资料MOS(场效应管)数据手册Anbonsemi规格书

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厂商型号

AS60N20S

功能描述

MOS(场效应管)

制造商

Anbonsemi ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

中文名称

安邦 安邦半导体(国际)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :AS60N20S

  • 生产厂家

    :Anbonsemi

  • 连续漏极电流(Id)(25°C 时)

    :20A

  • 栅源极阈值电压

    :2.4V @ 250uA

  • 漏源导通电阻

    :4.5mΩ @ 20A

  • 最大功率耗散(Ta=25°C)

    :3.5W

  • 类型

    :N沟道

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