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AS4LC4M16DG-5S/IT	文件：519.62 Kbytes Page：25 Pages	4 MEG x 16 DRAM GENERALDESCRIPTION The4Megx16DRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydevicecontaining67,108,864bitsanddesignedtooperatefrom3Vto3.6V.Thedeviceisfunctionallyorganizedas4,194,304locationscontaining16bitseach.The4,194,304memorylocationsarearrangedin	AUSTIN AUSTIN	AUSTIN
AS4LC4M16DG-5S/IT	文件：3.76256 Mbytes Page：25 Pages	4 MEG x 16 DRAM Extended Data Out (EDO) DRAM	AUSTIN AUSTIN	AUSTIN
AS4LC4M16DG-5S/XT	文件：519.62 Kbytes Page：25 Pages	4MEGx16DRAM GENERALDESCRIPTION The4Megx16DRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydevicecontaining67,108,864bitsanddesignedtooperatefrom3Vto3.6V.Thedeviceisfunctionallyorganizedas4,194,304locationscontaining16bitseach.The4,194,304memorylocationsarearrangedin	AUSTIN AUSTIN	AUSTIN
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更多AS4LC4M16DG-5S/IT供应商更新时间2024-5-23 10:01:00