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BAS521	文件：271.13 Kbytes Page：4 Pages	Highvoltageswitchingdiode DESCRIPTION TheBAS521isahigh-voltageswitchingdiodefabricatedinplanartechnologyandencapsulatedinanultrasmallSOD523(SC-79)plasticSMDpackage. FEATURES •Highswitchingspeed:max.50ns •Highcontinuousreversevoltage:300V •Repetitivepeakforwardcurrent:625mA •Ult	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BAS521	文件：352.44 Kbytes Page：5 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BAS521	文件：865.69 Kbytes Page：3 Pages	Schottkybarrierdiode Features Fastswitchingspeed Highconductance	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
BAS521	文件：194.12 Kbytes Page：11 Pages	Singlehigh-voltageswitchingdiode 1.Generaldescription Singlehigh-voltageswitchingdiode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedina SOD523(SC-79)ultrasmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤50ns •Highreversevoltage:VR≤300V •Repe	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS521B	文件：199.64 Kbytes Page：11 Pages	High-voltageswitchingdiode 1.Generaldescription High-voltageswitchingdiode,inanultrasmallSOD523(SC-72)flatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤50ns •Lowleakagecurrent:IR≤100nA •Highreversevoltage:VR≤200V •Lowcapacitanc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS521-HF	文件：526.94 Kbytes Page：4 Pages	SMDSwitchingDiodes	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BAS521LP	文件：87.26 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BAS521LP	文件：90.12 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE Features •FastSwitchingSpeed:Maximumof50ns •HighReverseBreakdownVoltage:325V •LowLeakageCurrent:Maximumof50nAwhenVR=5Vor Maximumof150nAwhenVR=250VatRoomTemperature •UltraSmallPlasticSMDPackage:1.0mmx0.6mmx0.5mm •TotallyLead-Free&FullyRoHS	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BAS521Q	文件：309.69 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE Features FastSwitchingSpeed:max.50ns HighReverseBreakdownVoltage:300V LowLeakageCurrent:100nAatroomtemperature UltraSmallPlasticSMDPackage TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Qualifiedto	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BAS521-Q	文件：199.7 Kbytes Page：9 Pages	High-voltageswitchingdiode 1.Generaldescription High-voltageswitchingdiode,encapsulatedinanultrasmallSOD523(SC-79)flatleadSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤50ns •Highreversevoltage:VR≤300V •Repetitivepeakforwardcurrent:IFR	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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详细参数

型号：
ARF521
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
RF MOSFET(VDMOS) - Bulk
功能描述：
RF PWR MOSFET 500V 10A DIE
功能描述：
RF POWER TRANSISTOR MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市永贝尔科技有限公司	ARF521	ADPOW	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	ARF521	Microsemi Corporation	22+	M174	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市芯福林电子科技有限公司	ARF521	Microsemi Corporation	21+	M174	13880	公司只售原装,支持实单	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	ARF521	Microsemi Corporation	23+	M174	9000	原装正品，支持实单	询价
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