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APT8M100S	文件：264.41 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET 文件：264.41 Kbytes 页数：4 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
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APT8M100B	文件：360.75 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.8Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：360.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

更多APT8M100S供应商更新时间2026-4-18 16:10:00