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APT901R1HN	文件：297.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.1Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SML901R1AN	文件：60.93 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB

详细参数

型号：
APT901R1DN
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | CHIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多APT901R1DN供应商更新时间2025-5-21 15:20:00

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