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BH6040FVM	文件：208.76 Kbytes Page：6 Pages	SwitchedCapacitorVoltageConverterforCellular	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
C6040A	文件：75.52 Kbytes Page：1 Pages	3SP227/30TCPEPVCComputerCable	GENERALGeneral Cable Technologies Corporation 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
CBT-BGA-6040	文件：537.68 Kbytes Page：5 Pages	Highlycomplianttoaccommodatewideco-planarityvariations	IRONWOOD Ironwood Electronics.	IRONWOOD
CEB6040SL	文件：410.98 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 65V,116A,RDS(ON)=4.6mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=7.7mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED6040SL	文件：412.42 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 65V,89A,RDS(ON)=4.8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=7.8mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP6040SL	文件：410.98 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 65V,116A,RDS(ON)=4.6mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=7.7mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU6040SL	文件：412.42 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 65V,89A,RDS(ON)=4.8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=7.8mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CREA6040M	文件：80.18 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountOscillator FEATURES •Size:5.0x3.2x1.3(mm) •Miniaturepackage •Tri-stateenable/disable •HCMOScompatible •Tapeandreel •IRre-flow •1.8Vinputvoltage •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
CREC6040M	文件：80.18 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountOscillator FEATURES •Size:5.0x3.2x1.3(mm) •Miniaturepackage •Tri-stateenable/disable •HCMOScompatible •Tapeandreel •IRre-flow •1.8Vinputvoltage •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
CTEA6040M	文件：80.18 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountOscillator FEATURES •Size:5.0x3.2x1.3(mm) •Miniaturepackage •Tri-stateenable/disable •HCMOScompatible •Tapeandreel •IRre-flow •1.8Vinputvoltage •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
APT6040BVRG
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
POWER MOS V®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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