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APT6035BVRG	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip
APT6035SVFR	文件：121.45 Kbytes Page：4 Pages	POWER MOS V FREDFET POWER MOS V® FREDFET Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate lay 文件：121.45 Kbytes 页数：4 Pages	ADPOW	ADPOW
APT6035SVR	文件：65.3 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. POWER MOS V® Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. • Fast 文件：65.3 Kbytes 页数：4 Pages	ADPOW	ADPOW
C6035	文件：81.47 Kbytes Page：2 Pages	BROADBAND: RF & WIRELESS RF, HFC & CATV APPLICATIONS Pluse offers a comprehensive line of RF magnetic components for use in wireless and RF applications, including mobile communications, cable television, hybrid fiber/coax (HFC) equipment, cable modems, set-top boxes, and home networking. The components are al 文件：81.47 Kbytes 页数：2 Pages	pulse	pulse

详细参数

型号：
APT6035BVRG
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
POWER MOS V®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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