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DTB6035	文件：235.41 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelReducedQg,FastSwitchingMOSFET	DINTEK Din-Tek Semiconductor	DINTEK
DTB6035	文件：1.27482 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelReducedQg,FastSwitchingMOSFET	DINTEK Din-Tek Semiconductor	DINTEK
EM6035	文件：161.74 Kbytes Page：1 Pages	OmnidirectionalElectretCondenserMicrophone	SOBERTON Soberton Inc.	SOBERTON
EM6035N	文件：136.98 Kbytes Page：1 Pages	NoiseCancelingElectretCondenserMicrophone	SOBERTON Soberton Inc.	SOBERTON
EM6035P	文件：161.74 Kbytes Page：1 Pages	OmnidirectionalElectretCondenserMicrophone	SOBERTON Soberton Inc.	SOBERTON
FBR6035	文件：143.47 Kbytes Page：2 Pages	60AmpHighVoltageSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERSMechanicalDimensions Features ■HIGHCURRENTCAPABILITY WITHLOWVF ■HIGHEFFICIENCYw/LOWPOWERLOSS ■HIGHSURGEVOLTAGEAND TRANSIENTPROTECTION ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
FDB6035AL	文件：93.09 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithcomp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB6035L	文件：413.48 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6035	文件：119.89 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel,LogicLevel,PowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheonstateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features ·46A,30VRDS(ON)=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6035AL	文件：119.89 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel,LogicLevel,PowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheonstateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features ·46A,30VRDS(ON)=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
APT6035BVR
制造商：
ADPOW
制造商全称：
Advanced Power Technology
功能描述：
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

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