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APT6015LVRG	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Microchip 微芯科技	Microchip
HIP6015	文件：203.17 Kbytes Page：12 Pages	Buck Pulse-Width Modulator (PWM) Controller and Output Voltage Monitor The HIP6015 provides complete control and protection for a DC-DC converter optimized for high-performance microprocessor applications. It is designed to drive an N-Channel MOSFET in a standard buck topology. The HIP6015 integrates all of the control, output adjustment, monitoring and protection fu 文件：203.17 Kbytes 页数：12 Pages	INTERSIL	INTERSIL
S6015L	文件：1.60012 Mbytes Page：12 Pages	SCRs 1-70 AMPS NON-SENSITIVE GATE Features ● Electrically Isolated Packages ● High Voltage Capability - 30 - 600 Volts ● High Surge Capability - up to 950 Amps ● Glass Passivated Chip 文件：1.60012 Mbytes 页数：12 Pages	TECCOR	TECCOR
STU6015	文件：28.4 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR VBR : 6.8 - 440 Volts PPK : 600 Watts FEATURES : * 600W surge capability at 1ms * Excellent clamping capability * Low zener impedance * Fast response time : typically less then 1.0 ps from 0 volt to VBR(min.) * Typical IR less then 1mA above 10V * Pb / RoHS Free 文件：28.4 Kbytes 页数：4 Pages	EIC	EIC

详细参数

型号：
APT6015LVRG
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 38A TO-264
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
POWER MOS V®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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