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APT6010B2FLLG	文件：300 bytes Page：1 Pages	FREDFETs ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip
APT6010B2LL	文件：265.58 Kbytes Page：5 Pages	POWER MOS 7 MOSFET Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses along with exceptionally 文件：265.58 Kbytes 页数：5 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT6010B2LL	文件：420.34 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：420.34 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT6010B2LL	文件：257.55 Kbytes Page：5 Pages	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses along with exceptionally 文件：257.55 Kbytes 页数：5 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

详细参数

型号：
APT6010B2FLLG
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
POWER MOS 7®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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