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APT5020BVRG	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET; ROHS	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
APT5020DN	文件：434.17 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmodep	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT5020SLC	文件：35.77 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSVITMisanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSVI™isanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.LowergatechargeisachievedbyoptimizingthemanufacturingprocesstominimizeCissandCrss. LowergatechargecoupledwithPowerMOSVI™optimizedgatelayout,deliversexceptionall	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT5020SVFR	文件：64.489 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •FastRecoveryBody	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT5020SVR	文件：61.92 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •FasterSwitc	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
AS5020	文件：338.08 Kbytes Page：11 Pages	6-BITMAGNETICANGULARPOSITIONENCODERWITHSERIALINTERFACE GeneralDescription Thedeviceprovidestheabsoluteangularpositionofasimplemagnetthatisplacedunderorabovethedevice’ssurface.ThedeviceincludestheHallSensorArray,signalconditioningandpostprocessingneededtogeneratea6-bitbinarycode.Thebinarycodecanbeeasilyacc	AMSCOams AG 艾迈斯欧司朗艾迈斯欧司朗股份公司	AMSCO
AS5020T	文件：338.08 Kbytes Page：11 Pages	6-BITMAGNETICANGULARPOSITIONENCODERWITHSERIALINTERFACE GeneralDescription Thedeviceprovidestheabsoluteangularpositionofasimplemagnetthatisplacedunderorabovethedevice’ssurface.ThedeviceincludestheHallSensorArray,signalconditioningandpostprocessingneededtogeneratea6-bitbinarycode.Thebinarycodecanbeeasilyacc	AMSCOams AG 艾迈斯欧司朗艾迈斯欧司朗股份公司	AMSCO
B5020	文件：485.42 Kbytes Page：1 Pages	UL94V-0PBTimpellerandframe	MECHATRONICS Mechatronics, Inc.	MECHATRONICS
B5020L	文件：345.84 Kbytes Page：1 Pages	DCBLOWERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
B5020L	文件：485.42 Kbytes Page：1 Pages	UL94V-0PBTimpellerandframe	MECHATRONICS Mechatronics, Inc.	MECHATRONICS

详细参数

型号：
APT5020BVRG
功能描述：
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
POWER MOS V®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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