isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 20.7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.19Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, D

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ISC

无锡固电

SOT-227B

MICROSEMI

美高森美

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TO-247

APT

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TO247

MICROCHIP

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NA

MICROCHIP

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