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APT23F60B

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=24A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.29Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

APT23F60B

FREDFETs;

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT23F60B

N-Channel FREDFET

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT23F60S

N-ChannelFREDFET

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

详细参数

  • 型号:

    APT23F60B

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 600V 23A TO-247

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    POWER MOS 8™

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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更多APT23F60B供应商 更新时间2025-7-29 16:33:00