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APT29F100L	文件：327.88 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 30A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.44Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：327.88 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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更多APT29F100L供应商更新时间2025-12-15 14:13:00