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APT25GP120BDQ1G	文件：209.92 Kbytes Page：9 Pages	POWER MOS 7 IGBT	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT25GP120BDQ1G	文件：9.86083 Mbytes Page：44 Pages	Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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APT25GP120BDQ1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 69A 417W TO247	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
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产品属性

产品编号：
APT25GP120BDQ1G
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
POWER MOS 7®
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.9V @ 15V，25A
开关能量：
500µJ（开），440µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
12ns/70ns
测试条件：
600V，25A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247 [B]
描述：
IGBT 1200V 69A 417W TO247

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更多APT25GP120BDQ1G供应商更新时间2025-5-21 10:44:00

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