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APT25GP120BDQ1G中文资料IGBT w/ anti-parallel diode数据手册Microchip规格书
| 厂商型号 |
APT25GP120BDQ1G |
| 参数属性 | APT25GP120BDQ1G 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 69A 417W TO247 |
| 功能描述 | IGBT w/ anti-parallel diode |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名称 | 微芯科技 美国微芯科技公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 14:50:00 |
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APT25GP120BDQ1G规格书详情
简介
APT25GP120BDQ1G属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的APT25GP120BDQ1G晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
APT25GP120BDQ1G
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
POWER MOS 7®
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.9V @ 15V，25A
- 开关能量：
500µJ（开），440µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
12ns/70ns
- 测试条件：
600V，25A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247 [B]
- 描述：
IGBT 1200V 69A 417W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI |
25+23+ |
TO-247 |
35111 |
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询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
2023+ |
TO-247 |
3500 |
全新原装正品,优势价格 |
询价 | ||
APT |
23+ |
TO-247 |
5000 |
原装正品实单必成 |
询价 | ||
APT |
21+ |
TO-3P |
16 |
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询价 | ||
MICROCHIP/微芯 |
25+ |
TO-247 |
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询价 | ||
APT |
22+ |
TO-3P |
8200 |
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询价 | ||
Microsemi |
2023+ |
TO-247 |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
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TO-247 |
3500 |
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MICROSE |
25+ |
10+ |
85 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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MSC |
专业军工 |
NA |
1000 |
只做原装正品军工级部分订货 |
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