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APT25GP120BDQ1G数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
APT25GP120BDQ1G |
参数属性 | APT25GP120BDQ1G 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 69A 417W TO247 |
功能描述 | IGBT w/ anti-parallel diode |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | Microchip Microchip Technology |
中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 20:00:00 |
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APT25GP120BDQ1G规格书详情
简介
APT25GP120BDQ1G属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的APT25GP120BDQ1G晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
APT25GP120BDQ1G
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
POWER MOS 7®
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
PT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
3.9V @ 15V,25A
- 开关能量:
500µJ(开),440µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
12ns/70ns
- 测试条件:
600V,25A,5 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247 [B]
- 描述:
IGBT 1200V 69A 417W TO247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi/美高森美 |
25+ |
TO247-3 |
15 |
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询价 | ||
MSC |
三年内 |
1983 |
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25+ |
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MICROSEMI |
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MICROSEMI |
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MICROSEMI/美高森美 |
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TO-247 |
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