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|---|---|---|---|---|
APT25GR120BSCD10 | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs POWER MOS 7® MOSFET Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses alon 文件：2.83333 Mbytes 页数：44 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT25GR120BSCD10 | Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes 页数：44 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT25GR120BSCD10 | NPT IGBT & Trench IGBT ROHS | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
APT25GR120BSCD10 | Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1200V 75A 521W TO247 | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI |
产品属性
- 产品编号：
APT25GR120BSCD10
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，25A
- 开关能量：
434µJ（开），466µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
16ns/122ns
- 测试条件：
600V，25A，4.3 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247
- 描述：
IGBT 1200V 75A 521W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
询价 | ||||
Microch |
20+ |
NA |
33560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
908 |
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询价 | ||
MICROSEMI |
25+ |
TO-247 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
22+ |
TO247 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
2022+ |
TO-247 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
25+ |
TO-247-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
23+ |
TO-268-3D3Pak2TO-268 |
8000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
MICROCHIP |
23+ |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | |||
APT |
22+ |
原厂原封 |
8200 |
原装现货库存.价格优势!! |
询价 |
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