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10086	文件：54.76 Kbytes Page：1 Pages	AMERICANCORDSET;230cmLONGNEMA5-15PTOIEC60320C13,LEFTHANDED	POWERDYNAMICS PowerDynamics, Inc	POWERDYNAMICS
10086	文件：126.42 Kbytes Page：1 Pages	NylonPCBSupports-ImperialSpacing	HeycoHeyco. 海科	Heyco
A10086CHNF	文件：603.13 Kbytes Page：2 Pages	ContinuousHingewithClamps,Type4	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
A10086SC	文件：621.47 Kbytes Page：2 Pages	ScrewCover,Type12	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
APT10086BLC	文件：35.76 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSVITMisanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSVITMisanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.LowergatechargeisachievedbyoptimizingthemanufacturingprocesstominimizeCissandCrss.LowergatechargecoupledwithPowerMOSVITMoptimizedgatelayout,deliversexceptionally	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
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APT10086BVFR	文件：372.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.86Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT10086BVR	文件：372.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.86Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT10086BVR	文件：66.07 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •FasterSwitching	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT10086SLC	文件：35.76 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSVITMisanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSVITMisanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.LowergatechargeisachievedbyoptimizingthemanufacturingprocesstominimizeCissandCrss.LowergatechargecoupledwithPowerMOSVITMoptimizedgatelayout,deliversexceptionally	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW

详细参数

型号：
APT10086BVRG
功能描述：
MOSFET N-CH 1000V 13A TO-247
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
POWER MOS V®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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