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APT10086BVRG	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip
APT10086SLC	文件：35.76 Kbytes Page：2 Pages	Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Lower gate charge is achieved by optimizing the manufacturing process to minimize Ciss and Crss. Lower gate charge coupled with Power MOS VITM optimized gate layout, delivers exceptionally 文件：35.76 Kbytes 页数：2 Pages	ADPOW	ADPOW
APT10086SVR	文件：69.1 Kbytes Page：4 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. • Faster Switching 文件：69.1 Kbytes 页数：4 Pages	ADPOW	ADPOW
GKY10086	文件：550.03 Kbytes Page：12 Pages	CERAMIC DIELECTRIC TRIMMER CAPACITORS 文件：550.03 Kbytes 页数：12 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

详细参数

型号：
APT10086BVRG
功能描述：
MOSFET N-CH 1000V 13A TO-247
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
POWER MOS V®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多APT10086BVRG供应商更新时间2025-12-18 14:02:00

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