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APT1001RSVRG | 100 Avalanche Tested Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. • Faster Switching 文件：76 Kbytes 页数：4 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
APT1001RSVRG | N-Channel MOSFET ROHS | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
GIGABIT RJ45 LAN MAGNETIC 文件：628.88 Kbytes 页数：2 Pages | ABRACON | ABRACON | ||
10mm wide IP67& IP68 LED light strip 文件：576.87 Kbytes 页数：1 Pages | OPTOSUPPLY 光谷 | OPTOSUPPLY | ||
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI 1001 is Designed for General Purpose Class C Power Amplifier Applications up to 1500 MHz. FEATURES: • PG = 12 dB min.at 1.0 W / 1,000 MHz • Hermetic Microstrip Package • Omnigold™ Metalization System 文件：18.25 Kbytes 页数：1 Pages | ASI | ASI |
详细参数
- 型号：
APT1001RSVRG
- 功能描述：
MOSFET N-CH 1000V 11A D3PAK
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
POWER MOS V®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MS |
22+ |
原厂原封 |
8200 |
原装现货库存.价格优势!! |
询价 | ||
MICROCHIP |
23+ |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | |||
24+ |
N/A |
63000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
MICRO |
24+ |
原厂封装 |
65250 |
支持样品,原装现货,提供技术支持! |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | |||
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
询价 | ||||
APT |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
98 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
询价 | ||
MICROSEMI |
25+ |
ISOTOP |
96 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
22+ |
SOT2274 miniBLOC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
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