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|---|---|---|---|---|
APT1001R6BFLLG | FREDFETs ROHS | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
APT1001R6BFLLG | POWER MOS 7 R FREDFET 文件：375.54 Kbytes 页数：5 Pages | ADPOW | ADPOW | |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS POWER MOS IV® N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 文件：50.32 Kbytes 页数：4 Pages | ADPOW | ADPOW | ||
POWER MOS 7 R FREDFET Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses along with exceptionally 文件：153.23 Kbytes 页数：5 Pages | ADPOW | ADPOW |
详细参数
- 型号：
APT1001R6BFLLG
- 功能描述：
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
POWER MOS 7®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi |
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TO-247 |
8000 |
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