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APM9922K	文件：217.15 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features •20V/6A, RDS(ON)=28mW(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=34mW(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM9922KC-TR	文件：217.15 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features •20V/6A, RDS(ON)=28mW(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=34mW(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM9922KC-TRL	文件：217.15 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features •20V/6A, RDS(ON)=28mW(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=34mW(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM9922KC-TU	文件：217.15 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features •20V/6A, RDS(ON)=28mW(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=34mW(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM9922KC-TUL	文件：217.15 Kbytes Page：10 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features •20V/6A, RDS(ON)=28mW(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=34mW(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
DMBT9922	文件：52.38 Kbytes Page：1 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •HighCurrentGain •ComplementtoDMBT9022	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMDT9922	文件：60.76 Kbytes Page：2 Pages	PNPDUAL,MATCHEDPAIRSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •LowNoise •HighCurrentGain •MatchedPairofTransistors	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FC9922	文件：750.84 Kbytes Page：8 Pages	3-PinSwitch-ModeLEDLampDriverIC	FS First Silicon Co., Ltd	FS
GC9922	文件：215.66 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiodesTMForMixersandDetectors DESCRIPTION SchottkyBarrierdevicesarecurrentlyavailableinsinglebeamlead,dual“T”,ringquadandbridgequadconfigurations.Devicesareavailableinmonolithicformforhybridapplicationsaswellasinhermeticornon-hermeticpackages.Monolithicdevicesarerecommendedforhighestfre	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
GSS9922E	文件：263.21 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM

详细参数

型号：
APM9922K
制造商：
ANPEC
制造商全称：
Anpec Electronics Coropration
功能描述：
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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更多APM9922K供应商更新时间2025-5-29 8:02:00

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