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C-2301UB-A	文件：197.34 Kbytes Page：10 Pages	2.24INCHSINGLEDIGITDISPLAY	PARALIGHTPARA LIGHT ELECTRONICS CO., LTD. 光鼎电子光鼎电子股份有限公司	PARALIGHT
C-2301Y	文件：71.78 Kbytes Page：1 Pages	SINGLEDIGITDISPLAY	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
C-2301Y	文件：208.76 Kbytes Page：11 Pages	2.24INCHSINGLEDIGITDISPLAY C/A-2301XSINGLEDIGITDISPLAY 1.Alldimensionareinmillimeters(inches). 2.Toleranceis±0.25mm(0.01”)unlessotherwisespecified.	PARALIGHTPARA LIGHT ELECTRONICS CO., LTD. 光鼎电子光鼎电子股份有限公司	PARALIGHT
CEN2301	文件：550.11 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-2.7A,RDS(ON)=110mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=160mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
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CES2301	文件：1.04003 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CES2301	文件：591.38 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-2.8A,RDS(ON)=100mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=150mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CES2301A	文件：917.93 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-3A,RDS(ON)=90mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

详细参数

型号：
APM2301CAC-TRG
制造商：
SinoPower
功能描述：
P-CHANNL MOSFET 20V/3A SOT-23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多APM2301CAC-TRG供应商更新时间2025-5-29 15:19:00

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