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CES2301	文件：109.38 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-20V,-2.8A,RDS(ON)=100mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=150mΩ@VGS=-2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■SOT-23package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CES2301	文件：1.04003 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CES2301	文件：591.38 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -20V,-2.8A,RDS(ON)=100mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=150mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CES2301A	文件：917.93 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -20V,-3A,RDS(ON)=90mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CES2301_10	文件：400.29 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEV2301	文件：606.8 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-1.3A,RDS(ON)=110mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=160mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-323package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEV2301A	文件：519.96 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-1.5A,RDS(ON)=90mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-323package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CHT2301PT	文件：307.26 Kbytes Page：3 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE20VoltsCURRENT2.3Ampere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-59/SOT-346) HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). Suitableforhighpackingdensity. Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. Voltagecontrolledsmallsignalswitch. APPLICATION *	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHT2301WPT	文件：654.48 Kbytes Page：3 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE20VoltsCURRENT2.3Ampere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-70/SOT-323) HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). Suitableforhighpackingdensity. Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. Voltagecontrolledsmallsignalswitch. APPLICAT	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CJ2301	文件：390.99 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI

详细参数

型号：
CES2301
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市金华微盛电子有限公司	CES2301	CET	2019+	SOT23	36000	原盒原包装可BOM配套	询价
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深圳市南科功率半导体有限公司	CES2301	NK/南科功率	2025+	SOT-23	36520	国产南科平替供应大量	询价
深圳市一线半导体有限公司	CES2301	CET	24+		2008	新进库存/原装	询价
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更多CES2301供应商更新时间2025-7-23 18:10:00

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