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CMPT5551HC	文件：111.91 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTHIGHCURRENTSILICONNPNTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT5551HCtypeisahighcurrentNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageandhighcurrentamplifierapplications. MARKINGCODE:1FHC	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMUT5551	文件：119.63 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMUT5551typeisanNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageamplifierapplications. MARKINGCODE:55C	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMUT5551E	文件：144 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCEDSPECIFICATIONSURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMUT5551EisanNPNSiliconTransistor,packagedinanSOT-523case,designedforgeneralpurposeamplifierapplicationsrequiringhighbreakdownvoltageandsmallspacesavingpackaging. MARKINGCODE:5C1 FEATURES: •HighCollectorBreakdownVoltage250V	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CTLT5551	文件：413.04 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSENPNSILICONTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CXT5551	文件：100.75 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCXT5551typeisanNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CXT5551	文件：309.42 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features ●Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ●LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ●PowerDissipation:PCM=0.5W(Tamb=25°C) ●CollectorCurrent:ICM=0.6A ●Collector-BaseVoltage:V(BR)CBO=180V ●Marking	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
CXT5551	文件：737.17 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●SwitchingandamplificationinhighvoltageApplicationssuchastelephony ●Lowcurrent(max.600mA) ●Highvoltage(max.180v)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
CXT5551	文件：369.87 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
CXT5551	文件：285.83 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES •SwitchingandamplificationinhighvoltageApplicationssuchastelephony •Lowcurrent(max.600mA) •Highvoltage(max.180v)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
CXT5551	文件：193.01 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Switchingandamplificationinhighvoltage. ●Lowcurrent(max.600mA) ●Highvoltage(max.180V) APPLICATIONS ●Highvoltageamplifierapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

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