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BIDW50N65T	文件：1.32999 Mbytes Page：10 Pages	BIDW50N65TInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT) GeneralInformation TheBourns®ModelBIDW50N65TIGBTdevicecombinestechnologyfromaMOSgate andabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacteris	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
HMG50N65T	文件：1.24913 Mbytes Page：8 Pages	650V/50ATrenchFieldStopIGBT	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IGB50N65	文件：355.18 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.7V@IC=50A ·HighSpeedSmoothSwitchingDeviceForHard &SoftSwitching APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MIW50N65F	文件：1.07932 Mbytes Page：10 Pages	TrenchandFieldStopIGBT650V50A Features •HighSpeedSmoothSwitchingDeviceforHardandSoftSwitching •Vce(sat)withPositiveTemperatureCoefficient •HighRuggedness,GoodThermalStability •VeryTightParameterDistribution •HalogenFree.“Green”Device(Note1) •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •Lead	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MIW50N65F-BP	文件：1.07932 Mbytes Page：10 Pages	TrenchandFieldStopIGBT650V50A Features •HighSpeedSmoothSwitchingDeviceforHardandSoftSwitching •Vce(sat)withPositiveTemperatureCoefficient •HighRuggedness,GoodThermalStability •VeryTightParameterDistribution •HalogenFree.“Green”Device(Note1) •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •Lead	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MPBW50N65EH	文件：956.77 Kbytes Page：7 Pages	EasyparallelswitchingcapabilityduetopositivetemperaturecoefficientinVCEsat Features Easyparallelswitchingcapabilitydueto positivetemperaturecoefficientinVCEsat LowVCEsat，fastswitching Highruggedness,goodthermalstability Verytightparameterdistribution TrenchandFieldStopIGBT Applications UPS PFC	FS First Silicon Co., Ltd	FS

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