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ET110N10-Z	文件：2.77001 Mbytes Page：14 Pages	StandardSizeToggleSwitch	COPALCopal Electronics NidecNidec元器件公司	COPAL
FIR110N10PG	文件：4.31611 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
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IXFC110N10P	文件：236.31 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFETISOPLUS220	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH110N10P	文件：314.72 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH110N10P	文件：371.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=15mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFV110N10P	文件：314.72 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFV110N10PS	文件：314.72 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXTQ110N10P	文件：316.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=15mΩ(Max) •FastSwitching •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switch-ModeandResonant-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTT110N10P	文件：578.97 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementMode PolarHT™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
SUM110N10	文件：156.92 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100V(D-S)175°CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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