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110N06L	文件：2.10135 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
HLDG110N06	文件：603.77 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
HLDG110N06	文件：826.53 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 汇利达广东汇利达半导体有限公司	HUILIDA
HY110N06T	文件：252.38 Kbytes Page：4 Pages	55V/110AN-ChannelEnhancementModeMOSFET 55V,RDS(ON)=5.5mW@VGS=10V,ID=30A Features •LowOn-StateResistance •ExcellentGateChargexRDS(ON)Product(FOM) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •SpeciallyDesigenedforDC-DCConverter,Off-lineUPS,AutomotiveSystem,SolenoidandMotorControl •I	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
IPB110N06L	文件：448.32 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰Power-Transistor Features •Forfastswitchingconvertersandsync.rectification •N-channelenhancement-logiclevel •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •Pb-freeleadplating,RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IPB110N06L-G	文件：448.32 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰Power-Transistor Features •Forfastswitchingconvertersandsync.rectification •N-channelenhancement-logiclevel •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •Pb-freeleadplating,RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPP110N06L	文件：448.32 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰Power-Transistor Features •Forfastswitchingconvertersandsync.rectification •N-channelenhancement-logiclevel •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •Pb-freeleadplating,RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IXFK110N06	文件：156.88 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •Internationalstandardpackages •JEDECTO-264AA,epoxymeet UL94V-0,flammabilityclassification •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFK110N06	文件：328.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TSM110N06	文件：107.28 Kbytes Page：6 Pages	55VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC

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